計畫團隊成員

 
 
圖片1-2

總計畫暨子計畫一
Main Project & Subproject 1

劉致為  特聘教授

國立臺灣大學電子所

圖片2-2

子計畫二
Subproject 2

李敏鴻  教授

國立臺灣師範大學光電所

圖片3-2

子計畫三
Subproject 3

陳敏璋  教授

國立臺灣大學材料系

 

技術亮點 Technical Highlights


本計畫以研發3奈米先進製程的材料、製程及元件,以利智慧終端應用中即時的計算之需求。鍺(鍺矽)有比應變矽通道更高的載子遷移率,環繞式電晶體因為具有更優於鰭式電晶體的控制能力,並搭配三維堆疊的架構以提升電流,實現高效能及低功耗的電路。最佳化磊晶、應力源設計與模擬、摻雜設計、閘極堆疊、載子遷移率計算及考慮量子效應之載子分布計算等、並加入鐵電負電容與原子層工程,以完成環繞式通道之電晶體設計。

Ge/GeSi is used for the channels in this project and it is a promising material for 3nm node due to its high mobility. GAA have superior gate control and the ION can be boost by channel stacking. Co-optimization of epitaxy, stressor, doping, gate stack, mobility, carrier distribution, FE material, atomic layer engineering is studied for the device design.

 

應用情境 Applications


自駕車是未來實現智慧城市的重要技術,利用道路上的移動車輛便可進行數據傳輸,其中人工智慧晶片便是推動此汽車產業的重要革命,需搭配先進半導體製程技術,來達成以下特點:「快、準、節能與便宜」, 本計畫研發之三奈米先進製程節點的鍺(鍺矽),搭配垂直堆疊閘極環繞式電晶體與三維堆疊的架構,或利用負電容閘極以提升電流與節能,以供自駕車智慧終端的計算。
Self-driving is an important technology for realizing smart cities in the future. Data can be transmitted by using mobile vehicles on the road. Among them, the AI chip drives the industry of autonomous car with advanced 3nm-node technology featuring “small latency, error-free, energy-efficient, and low cost”.
 

示意圖 Schematic Diagram