【108/10/4~11/8-高效能運算與先進記憶體技術系列課程 】

磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM)記憶體克服了傳統記憶體SRAM、DRAM、Flash限制,兼 具高速操作特性,並且在斷電時也能保持數據,被視為下世代記憶體。此次科技部發起、國家實驗研究院台灣半 導體研究中心與科技部半導體射月計畫共同辦理,由MRAM國際專家鄧端理博士規劃,廣邀國內外一流MRAM專 家,開設一完整MRAM課程,內容涵蓋材料、物理、製程及設計,期望培育國內更多的磁性記憶體專才。

科技部半導體射月計畫誠摯邀請您一同參與,謝謝!


🚩活動名稱:  高效能運算與先進記憶體技術系列課程

⏰課程期間: 108年10月4日~11月8日

🏢收費方式: 學界3,000元/非學界6,000元。 團體報名 (5人含以上) / 早鳥(9/6前)優惠價8折。團體及早鳥報名請致電報名窗口。

指導單位: 科技部工程司

主辦單位: 台灣半導體研究中心

協辦單位: 科技部半導體射月計畫

報名網址