磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM)記憶體克服了傳統記憶體SRAM、DRAM、Flash限制，兼 具高速操作特性，並且在斷電時也能保持數據，被視為下世代記憶體。此次科技部發起、國家實驗研究院台灣半 導體研究中心與科技部半導體射月計畫共同辦理，由MRAM國際專家鄧端理博士規劃，廣邀國內外一流MRAM專 家，開設一完整MRAM課程，內容涵蓋材料、物理、製程及設計，期望培育國內更多的磁性記憶體專才。
科技部半導體射月計畫誠摯邀請您一同參與，謝謝!
🚩活動名稱: 高效能運算與先進記憶體技術系列課程
⏰課程期間: 108年10月4日~11月8日🏢收費方式: 學界3,000元/非學界6,000元。 團體報名 (5人含以上) / 早鳥(9/6前)優惠價8折。團體及早鳥報名請致電報名窗口。
指導單位: 科技部工程司 主辦單位: 台灣半導體研究中心 協辦單位: 科技部半導體射月計畫
